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W631GU8MB-12 TR

W631GU8MB-12 TR

참조 용

부품 번호 W631GU8MB-12 TR
PNEDA 부품 번호 W631GU8MB-12-TR
설명 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,960
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 8 - 2월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W631GU8MB-12 TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W631GU8MB-12 TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W631GU8MB-12 TR, W631GU8MB-12 TR 데이터 시트 (총 페이지: 161, 크기: 5,888.32 KB)
PDFW631GU8MB15I 데이터 시트 표지
W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 2 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 3 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 4 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 5 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 6 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 7 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 8 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 9 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 10 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 11

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W631GU8MB-12 TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-VFBGA
공급자 장치 패키지78-VFBGA (10.5x8)

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Silicon Motion, Inc.

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메모리 유형

-

메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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시리즈

*

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-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

400ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-TWBGA (10.5x13)

CY14B104NA-ZSP45XIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

STK15C88-NF25I

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

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