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W632GG6KB-09

W632GG6KB-09

참조 용

부품 번호 W632GG6KB-09
PNEDA 부품 번호 W632GG6KB-09
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,454
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W632GG6KB-09 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W632GG6KB-09
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W632GG6KB-09, W632GG6KB-09 데이터 시트 (총 페이지: 159, 크기: 5,812.62 KB)
PDFW632GG6KB-18 데이터 시트 표지
W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 2 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 3 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 4 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 5 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 6 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 7 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 8 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 9 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 10 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 11

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  • W632GG6KB-09 Distributor

W632GG6KB-09 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수1066MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-WBGA (9x13)

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70T651S15BF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

2.4V ~ 2.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

208-LFBGA

공급자 장치 패키지

208-CABGA (15x15)

MT53E256M16D1DS-046 WT:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CY7C025-25AC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

128Kb (8K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

MT48LC16M8A2P-7E:L

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

14ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

MT48LC32M4A2TG-75 L:G TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (32M x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

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