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W632GG6KB-12 TR

W632GG6KB-12 TR

참조 용

부품 번호 W632GG6KB-12 TR
PNEDA 부품 번호 W632GG6KB-12-TR
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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W632GG6KB-12 TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W632GG6KB-12 TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W632GG6KB-12 TR, W632GG6KB-12 TR 데이터 시트 (총 페이지: 159, 크기: 5,812.62 KB)
PDFW632GG6KB-18 데이터 시트 표지
W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 2 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 3 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 4 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 5 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 6 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 7 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 8 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 9 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 10 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 11

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  • W632GG6KB-12 TR Distributor

W632GG6KB-12 TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-WBGA (9x13)

관심을 가질만한 제품

IDT71V3556S133BQGI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

STK11C68-5C35M

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-CDIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

28-CDIP

CAT28C16AL20

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

200ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

24-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

24-PDIP

MTA8ATF51264HZ-2G6B1

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

32Gb (512M x 64)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.2V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

S25FL116K0XMFV010

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL1-K

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-SOIC

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