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W632GG8KB-11

W632GG8KB-11

참조 용

부품 번호 W632GG8KB-11
PNEDA 부품 번호 W632GG8KB-11
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,598
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W632GG8KB-11 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W632GG8KB-11
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W632GG8KB-11, W632GG8KB-11 데이터 시트 (총 페이지: 159, 크기: 5,237.38 KB)
PDFW632GG8KB15I TR 데이터 시트 표지
W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 2 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 3 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 4 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 5 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 6 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 7 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 8 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 9 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 10 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 11

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  • W632GG8KB-11 Distributor

W632GG8KB-11 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-TFBGA
공급자 장치 패키지78-WBGA (10.5x8)

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

8Gb (256M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

533MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.2V, 1.8V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

134-VFBGA

공급자 장치 패키지

134-FBGA (11.5x11.5)

AT27LV010A-70VI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

70ns

전압-공급

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-VSOP

S27KL0641DABHI020

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

HyperRAM™ KL

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

40ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-VBGA

공급자 장치 패키지

24-FBGA (6x8)

MT40A512M8RH-075E IT:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.33GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (9x10.5)

70V3579S6BF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

1.125Mb (32K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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