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W632GG8KB12I

W632GG8KB12I

참조 용

부품 번호 W632GG8KB12I
PNEDA 부품 번호 W632GG8KB12I
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 7,218
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W632GG8KB12I 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W632GG8KB12I
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W632GG8KB12I, W632GG8KB12I 데이터 시트 (총 페이지: 159, 크기: 5,237.38 KB)
PDFW632GG8KB15I TR 데이터 시트 표지
W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 2 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 3 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 4 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 5 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 6 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 7 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 8 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 9 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 10 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 11

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  • W632GG8KB12I Distributor

W632GG8KB12I 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-TFBGA
공급자 장치 패키지78-WBGA (10.5x8)

관심을 가질만한 제품

SST39VF800A-70-4C-B3KE

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST39 MPF™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA (6x8)

CY7C1472V25-200AXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

NoBL™

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

72Mb (4M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

RM25C64C-BTAC-T

Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

Mavriq™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

CBRAM®

기술

CBRAM

메모리 크기

64kb (32B Page Size)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

5MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

STK17TA8-RF45ITR

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

48-SSOP

IS49NLC18160-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

288Mb (16M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-TFBGA

공급자 장치 패키지

144-FCBGA (11x18.5)

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