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W632GG8KB15I TR

W632GG8KB15I TR

참조 용

부품 번호 W632GG8KB15I TR
PNEDA 부품 번호 W632GG8KB15I-TR
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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W632GG8KB15I TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W632GG8KB15I TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W632GG8KB15I TR, W632GG8KB15I TR 데이터 시트 (총 페이지: 159, 크기: 5,237.38 KB)
PDFW632GG8KB15I TR 데이터 시트 표지
W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 2 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 3 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 4 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 5 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 6 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 7 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 8 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 9 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 10 W632GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 11

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W632GG8KB15I TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-TFBGA
공급자 장치 패키지78-WBGA (10.5x8)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1ms

접근 시간

150ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

48Gb (768M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1866MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

366-VFBGA

공급자 장치 패키지

366-VFBGA (12x12.7)

24LC256T-E/SM

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIJ

AT49BV1614AT-90CI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

90ns

전압-공급

2.65V ~ 3.3V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA, CSPBGA

공급자 장치 패키지

48-CBGA (6x8)

25LC020A-I/P

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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