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W632GU6MB15I TR

W632GU6MB15I TR

참조 용

부품 번호 W632GU6MB15I TR
PNEDA 부품 번호 W632GU6MB15I-TR
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 2,754
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W632GU6MB15I TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W632GU6MB15I TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W632GU6MB15I TR, W632GU6MB15I TR 데이터 시트 (총 페이지: 161, 크기: 5,925.37 KB)
PDFW632GU6MB15I 데이터 시트 표지
W632GU6MB15I 데이터 시트 페이지 2 W632GU6MB15I 데이터 시트 페이지 3 W632GU6MB15I 데이터 시트 페이지 4 W632GU6MB15I 데이터 시트 페이지 5 W632GU6MB15I 데이터 시트 페이지 6 W632GU6MB15I 데이터 시트 페이지 7 W632GU6MB15I 데이터 시트 페이지 8 W632GU6MB15I 데이터 시트 페이지 9 W632GU6MB15I 데이터 시트 페이지 10 W632GU6MB15I 데이터 시트 페이지 11

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W632GU6MB15I TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-VFBGA
공급자 장치 패키지96-VFBGA (7.5x13)

관심을 가질만한 제품

7142SA35CB

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

48-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

48-SIDE BRAZED

MT29F64G08CFACAWP-Z:C

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

64Gb (8G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

AT28HC64BF-12SU

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

BQ4015YMA-85

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

85ns

접근 시간

85ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-DIP Module (0.61", 15.49mm)

공급자 장치 패키지

32-DIP Module (18.42x42.8)

MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

384Gb (48G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

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