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W632GU8KB-12 TR

W632GU8KB-12 TR

참조 용

부품 번호 W632GU8KB-12 TR
PNEDA 부품 번호 W632GU8KB-12-TR
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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예상 배송 3월 4 - 3월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W632GU8KB-12 TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W632GU8KB-12 TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W632GU8KB-12 TR, W632GU8KB-12 TR 데이터 시트 (총 페이지: 160, 크기: 5,888.54 KB)
PDFW632GU8KB15I TR 데이터 시트 표지
W632GU8KB15I TR 데이터 시트 페이지 2 W632GU8KB15I TR 데이터 시트 페이지 3 W632GU8KB15I TR 데이터 시트 페이지 4 W632GU8KB15I TR 데이터 시트 페이지 5 W632GU8KB15I TR 데이터 시트 페이지 6 W632GU8KB15I TR 데이터 시트 페이지 7 W632GU8KB15I TR 데이터 시트 페이지 8 W632GU8KB15I TR 데이터 시트 페이지 9 W632GU8KB15I TR 데이터 시트 페이지 10 W632GU8KB15I TR 데이터 시트 페이지 11

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W632GU8KB-12 TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-TFBGA
공급자 장치 패키지78-WBGA (10.5x8)

관심을 가질만한 제품

IS45S16160D-7TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

AS7C164A-15PCNTR

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

28-PDIP

S29GL08GT11SFCR00

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CG8120AAT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

S34ML04G200BHI000

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

ML-2

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-BGA (11x9)

최근 판매

CTX01-15473

CTX01-15473

Eaton - Electronics Division

FIXED INDUCTOR

74477810

74477810

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744314150

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PE-64934NL

PE-64934NL

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XFRMR T1/CEPT/ISDN-PRI 1:1