W947D2HBJX5E TR
참조 용
| 부품 번호 | W947D2HBJX5E TR |
| PNEDA 부품 번호 | W947D2HBJX5E-TR |
| 설명 | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA |
| 제조업체 | Winbond Electronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,526 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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W947D2HBJX5E TR 리소스
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W947D2HBJX5E TR 사양
| 제조업체 | Winbond Electronics |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | DRAM |
| 기술 | SDRAM - Mobile LPDDR |
| 메모리 크기 | 128Mb (4M x 32) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | 200MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 15ns |
| 접근 시간 | 5ns |
| 전압-공급 | 1.7V ~ 1.95V |
| 작동 온도 | -25°C ~ 85°C (TC) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 90-TFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 90-VFBGA (8x13) |
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 2Kb (256 x 8) 메모리 인터페이스 I²C 시계 주파수 400kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 900ns 전압-공급 2.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 12ns 접근 시간 5.4ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 54-TSOP II |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EPROM 기술 EPROM - OTP 메모리 크기 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 120ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 32-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지 32-PDIP |
제조업체 Microchip Technology 시리즈 Automotive, AEC-Q100 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 1Kb (128 x 8) 메모리 인터페이스 I²C 시계 주파수 1MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 900ns 전압-공급 2.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-UDFN (2x3) |
