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W947D6HBHX6E

W947D6HBHX6E

참조 용

부품 번호 W947D6HBHX6E
PNEDA 부품 번호 W947D6HBHX6E
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 8,082
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W947D6HBHX6E 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W947D6HBHX6E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W947D6HBHX6E, W947D6HBHX6E 데이터 시트 (총 페이지: 60, 크기: 1,160.44 KB)
PDFW947D2HBJX6E 데이터 시트 표지
W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 2 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 3 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 4 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 5 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 6 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 7 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 8 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 9 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 10 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 11

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  • W947D6HBHX6E Distributor

W947D6HBHX6E 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스60-TFBGA
공급자 장치 패키지60-VFBGA (8x9)

관심을 가질만한 제품

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

400ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-TWBGA (8x12.5)

SM671PXD-ADS

Silicon Motion, Inc.

제조업체

Silicon Motion, Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CY7C1440KV33-167AXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.4ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

CY62167G30-45ZXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

MT25QL01GBBA8E12-0SIT TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms, 2.8ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-T-PBGA (6x8)

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