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W947D6HBHX6E TR

W947D6HBHX6E TR

참조 용

부품 번호 W947D6HBHX6E TR
PNEDA 부품 번호 W947D6HBHX6E-TR
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
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W947D6HBHX6E TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W947D6HBHX6E TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W947D6HBHX6E TR, W947D6HBHX6E TR 데이터 시트 (총 페이지: 60, 크기: 1,160.44 KB)
PDFW947D2HBJX6E 데이터 시트 표지
W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 2 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 3 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 4 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 5 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 6 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 7 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 8 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 9 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 10 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 11

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W947D6HBHX6E TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스60-TFBGA
공급자 장치 패키지60-VFBGA (8x9)

관심을 가질만한 제품

NAND128W3A0AN6

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50ns

접근 시간

50ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

AT45DB041B-CI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (264 Bytes x 2048 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

14ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-LBGA, CSPBGA

공급자 장치 패키지

14-CBGA (4.5x7)

M95640-DRDW8TP/K

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

16MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

IDT71T75602S100PFGI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

S29GL064S80DHV023

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

80ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

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