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W94AD6KBHX5I TR

W94AD6KBHX5I TR

참조 용

부품 번호 W94AD6KBHX5I TR
PNEDA 부품 번호 W94AD6KBHX5I-TR
설명 IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
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W94AD6KBHX5I TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W94AD6KBHX5I TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W94AD6KBHX5I TR, W94AD6KBHX5I TR 데이터 시트 (총 페이지: 60, 크기: 938.43 KB)
PDFW94AD2KBJX5E 데이터 시트 표지
W94AD2KBJX5E 데이터 시트 페이지 2 W94AD2KBJX5E 데이터 시트 페이지 3 W94AD2KBJX5E 데이터 시트 페이지 4 W94AD2KBJX5E 데이터 시트 페이지 5 W94AD2KBJX5E 데이터 시트 페이지 6 W94AD2KBJX5E 데이터 시트 페이지 7 W94AD2KBJX5E 데이터 시트 페이지 8 W94AD2KBJX5E 데이터 시트 페이지 9 W94AD2KBJX5E 데이터 시트 페이지 10 W94AD2KBJX5E 데이터 시트 페이지 11

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W94AD6KBHX5I TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스60-TFBGA
공급자 장치 패키지60-VFBGA (8x9)

관심을 가질만한 제품

S34MS02G100BHB003

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

Automotive, AEC-Q100, MS-1

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-BGA (11x9)

LH28F008SCHT-TE

Sharp Microelectronics

제조업체

Sharp Microelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

85ns

접근 시간

85ns

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

40-TSOP

70V9269S12PRF8/703

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

256Kb (16K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

128-LQFP

공급자 장치 패키지

128-TQFP (14x20)

MT46V32M16P-75 IT:C TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

750ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP

CY7C1061GN30-10BVXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-VFBGA (6x8)

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