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W9712G6KB25I TR

W9712G6KB25I TR

참조 용

부품 번호 W9712G6KB25I TR
PNEDA 부품 번호 W9712G6KB25I-TR
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 4,842
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W9712G6KB25I TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W9712G6KB25I TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W9712G6KB25I TR, W9712G6KB25I TR 데이터 시트 (총 페이지: 85, 크기: 1,549.14 KB)
PDFW9712G6KB25I 데이터 시트 표지
W9712G6KB25I 데이터 시트 페이지 2 W9712G6KB25I 데이터 시트 페이지 3 W9712G6KB25I 데이터 시트 페이지 4 W9712G6KB25I 데이터 시트 페이지 5 W9712G6KB25I 데이터 시트 페이지 6 W9712G6KB25I 데이터 시트 페이지 7 W9712G6KB25I 데이터 시트 페이지 8 W9712G6KB25I 데이터 시트 페이지 9 W9712G6KB25I 데이터 시트 페이지 10 W9712G6KB25I 데이터 시트 페이지 11

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W9712G6KB25I TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR2
메모리 크기128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간400ps
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스84-TFBGA
공급자 장치 패키지84-TFBGA (8x12.5)

관심을 가질만한 제품

CY7C145-15AXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

72Kb (8K x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

80-LQFP

공급자 장치 패키지

80-TQFP (14x14)

CY62147G18-55ZSXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

1.65V ~ 2.2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

CY7C1041CV33-12ZSXET

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

CY7C25632KV18-400BZXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II+

메모리 크기

72Mb (4M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

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IDT71V35761YSA200BQI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

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