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W971GG8KB-25 TR

W971GG8KB-25 TR

참조 용

부품 번호 W971GG8KB-25 TR
PNEDA 부품 번호 W971GG8KB-25-TR
설명 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA
제조업체 Winbond Electronics
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W971GG8KB-25 TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W971GG8KB-25 TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W971GG8KB-25 TR, W971GG8KB-25 TR 데이터 시트 (총 페이지: 87, 크기: 2,567.29 KB)
PDFW971GG8KB25I TR 데이터 시트 표지
W971GG8KB25I TR 데이터 시트 페이지 2 W971GG8KB25I TR 데이터 시트 페이지 3 W971GG8KB25I TR 데이터 시트 페이지 4 W971GG8KB25I TR 데이터 시트 페이지 5 W971GG8KB25I TR 데이터 시트 페이지 6 W971GG8KB25I TR 데이터 시트 페이지 7 W971GG8KB25I TR 데이터 시트 페이지 8 W971GG8KB25I TR 데이터 시트 페이지 9 W971GG8KB25I TR 데이터 시트 페이지 10 W971GG8KB25I TR 데이터 시트 페이지 11

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W971GG8KB-25 TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR2
메모리 크기1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간400ps
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스60-TFBGA
공급자 장치 패키지60-WBGA (8x12.5)

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

AT49LV321T-11TI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

150µs

접근 시간

110ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

7025S55J

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

128Kb (8K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

84-PLCC (29.21x29.21)

MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

16Gb (512M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

2133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

200-WFBGA

공급자 장치 패키지

200-WFBGA (10x14.5)

24AA1026-I/SM

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

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