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W9751G8KB-25 TR

W9751G8KB-25 TR

참조 용

부품 번호 W9751G8KB-25 TR
PNEDA 부품 번호 W9751G8KB-25-TR
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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W9751G8KB-25 TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W9751G8KB-25 TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W9751G8KB-25 TR, W9751G8KB-25 TR 데이터 시트 (총 페이지: 87, 크기: 2,676.96 KB)
PDFW9751G8KB25I 데이터 시트 표지
W9751G8KB25I 데이터 시트 페이지 2 W9751G8KB25I 데이터 시트 페이지 3 W9751G8KB25I 데이터 시트 페이지 4 W9751G8KB25I 데이터 시트 페이지 5 W9751G8KB25I 데이터 시트 페이지 6 W9751G8KB25I 데이터 시트 페이지 7 W9751G8KB25I 데이터 시트 페이지 8 W9751G8KB25I 데이터 시트 페이지 9 W9751G8KB25I 데이터 시트 페이지 10 W9751G8KB25I 데이터 시트 페이지 11

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W9751G8KB-25 TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR2
메모리 크기512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간400ps
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스60-TFBGA
공급자 장치 패키지60-WBGA (8x12.5)

관심을 가질만한 제품

CAT28C512GI-15T

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

150ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (11.43x13.97)

CY7C1399B-15VXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOJ

MT53B256M64D2TP-062 L XT ES:C

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

16Gb (256M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1600MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CY7C12701KV18-400BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

CAT93C46RBHU4IGT3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8 , 64 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

4MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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