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W979H2KBQX2E

W979H2KBQX2E

참조 용

부품 번호 W979H2KBQX2E
PNEDA 부품 번호 W979H2KBQX2E
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 17 - 4월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W979H2KBQX2E 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W979H2KBQX2E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W979H2KBQX2E, W979H2KBQX2E 데이터 시트 (총 페이지: 122, 크기: 2,452.79 KB)
PDFW979H6KBQX2I 데이터 시트 표지
W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 2 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 3 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 4 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 5 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 6 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 7 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 8 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 9 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 10 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 11

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  • W979H2KBQX2E Distributor

W979H2KBQX2E 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.95V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스168-WFBGA
공급자 장치 패키지168-WFBGA (12x12)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

6116SA45TDB

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

24-CDIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

24-CDIP

MT53D1G32D4NQ-046 WT ES:E TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

AT25080B-TH-B

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

CY14B256L-SZ35XCT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOIC

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