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W979H6KBVX2I

W979H6KBVX2I

참조 용

부품 번호 W979H6KBVX2I
PNEDA 부품 번호 W979H6KBVX2I
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W979H6KBVX2I 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W979H6KBVX2I
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W979H6KBVX2I, W979H6KBVX2I 데이터 시트 (총 페이지: 122, 크기: 2,452.79 KB)
PDFW979H6KBQX2I 데이터 시트 표지
W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 2 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 3 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 4 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 5 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 6 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 7 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 8 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 9 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 10 W979H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 11

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  • W979H6KBVX2I Distributor

W979H6KBVX2I 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스134-VFBGA
공급자 장치 패키지134-VFBGA (10x11.5)

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Microchip Technology

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메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1.5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WDFN (5x6)

25LC040AT-I/MNY

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (512 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TDFN (2x3)

W25Q64FVSFIG TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

AS7C256A-10TCN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP I

MT52L1G32D4PG-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

32Gb (1G x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.2V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

178-VFBGA

공급자 장치 패키지

178-FBGA (12x11.5)

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