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W9864G6JB-6

W9864G6JB-6

참조 용

부품 번호 W9864G6JB-6
PNEDA 부품 번호 W9864G6JB-6
설명 IC DRAM 64M PARALLEL 60VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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W9864G6JB-6 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W9864G6JB-6
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W9864G6JB-6, W9864G6JB-6 데이터 시트 (총 페이지: 43, 크기: 1,403.14 KB)
PDFW9864G6JB-6 데이터 시트 표지
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  • W9864G6JB-6 Distributor

W9864G6JB-6 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간5ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스60-TFBGA
공급자 장치 패키지60-VFBGA (6.4x10.10)

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

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전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TFBGA

공급자 장치 패키지

54-TFBGA (8x8)

S29GL01GT10DHI010

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

100ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (9x9)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

117MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II+

메모리 크기

36Mb (2M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

633MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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