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W988D2FBJX6E

W988D2FBJX6E

참조 용

부품 번호 W988D2FBJX6E
PNEDA 부품 번호 W988D2FBJX6E
설명 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,852
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W988D2FBJX6E 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W988D2FBJX6E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W988D2FBJX6E, W988D2FBJX6E 데이터 시트 (총 페이지: 64, 크기: 1,035.42 KB)
PDFW988D2FBJX7E 데이터 시트 표지
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  • W988D2FBJX6E Distributor

W988D2FBJX6E 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5.4ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스90-TFBGA
공급자 장치 패키지90-VFBGA (8x13)

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Micron Technology Inc.

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

52MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-TBGA

공급자 장치 패키지

64-EasyBGA (10x13)

M48Z58Y-70MH1E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets

공급자 장치 패키지

28-SOH

MT41K256M16HA-125 V:E TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.75ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (9x14)

AT25DF021A-XMHNHR-T

Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

85MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

MT47H16M16BG-37V:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

267MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

500ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

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