W988D6FBGX6E TR
참조 용
| 부품 번호 | W988D6FBGX6E TR |
| PNEDA 부품 번호 | W988D6FBGX6E-TR |
| 설명 | IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA |
| 제조업체 | Winbond Electronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,204 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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W988D6FBGX6E TR 리소스
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W988D6FBGX6E TR 사양
| 제조업체 | Winbond Electronics |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | DRAM |
| 기술 | SDRAM - Mobile LPSDR |
| 메모리 크기 | 256Mb (16M x 16) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | 166MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 15ns |
| 접근 시간 | 5.4ns |
| 전압-공급 | 1.7V ~ 1.95V |
| 작동 온도 | -25°C ~ 85°C (TC) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 54-TFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 54-VFBGA (8x9) |
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 10ms 접근 시간 250ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 32-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지 32-CDIP |
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제조업체 IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 55ns 접근 시간 55ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 64-LQFP 공급자 장치 패키지 64-TQFP (14x14) |
