XBR12A8-G
참조 용
| 부품 번호 | XBR12A8-G | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | XBR12A8-G | ||||||||||||||||||
| 설명 | DIODE SINGLE PHASE BRIDGE RECT | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Torex Semiconductor Ltd | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 1,241 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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XBR12A8-G 리소스
| 브랜드 | Torex Semiconductor Ltd |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | XBR12A8-G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-배열 |
| 데이터 시트 |
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- XBR12A8-G Distributor
XBR12A8-G 사양
| 제조업체 | Torex Semiconductor Ltd |
| 시리즈 | * |
| 다이오드 구성 | - |
| 다이오드 유형 | - |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | - |
| 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) | - |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | - |
| 속도 | - |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | - |
| 작동 온도-접합 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 150V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 250A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 880mV @ 250A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 3mA @ 150V 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Twin Tower 공급자 장치 패키지 Twin Tower |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 25V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 12.5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 490mV @ 12.5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 900µA @ 25V 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
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제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 구성 2 Independent 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 150V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 160A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 880mV @ 160A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 3mA @ 150V 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지 SOT-227 |
