ZTX601STOA
참조 용
| 부품 번호 | ZTX601STOA |
| PNEDA 부품 번호 | ZTX601STOA |
| 설명 | TRANS NPN DARL 160V 1A E-LINE |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,038 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ZTX601STOA 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ZTX601STOA |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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ZTX601STOA 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN - Darlington |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 1A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 160V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 1.2V @ 10mA, 1A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 10µA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 2000 @ 500mA, 10V |
| 전력-최대 | 1W |
| 주파수-전환 | 250MHz |
| 작동 온도 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | E-Line-3, Formed Leads |
| 공급자 장치 패키지 | E-Line (TO-92 compatible) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 1A, 1V 전력-최대 1W 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-226-3 |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V 전력-최대 250mW 주파수-전환 200MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 TO-236AB |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/498 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 5V @ 2A, 8A 전류-수집기 차단 (최대) 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 15 @ 3A, 5V 전력-최대 125W 주파수-전환 - 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지 TO-204AA (TO-3) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.1V @ 250µA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 10000 @ 100mA, 5V 전력-최대 625mW 주파수-전환 200MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V 전력-최대 1W 주파수-전환 120MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 SC-71 공급자 장치 패키지 MSTM |
