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ZTX749A_D26Z

ZTX749A_D26Z

참조 용

부품 번호 ZTX749A_D26Z
PNEDA 부품 번호 ZTX749A_D26Z
설명 TRANS PNP 35V 2A E-LINE
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,448
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZTX749A_D26Z 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZTX749A_D26Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
ZTX749A_D26Z, ZTX749A_D26Z 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 40.93 KB)
PDFZTX749A_J61Z 데이터 시트 표지
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ZTX749A_D26Z 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)35V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 1A, 2V
전력-최대1W
주파수-전환100MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-226

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 250mA, 10V

전력-최대

830mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

32V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

82 @ 100mA, 3V

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1W

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

230V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

전력-최대

2W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220NIS

STB13007DT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 1A, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

8 @ 5A, 5V

전력-최대

80W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 2V

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10W

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80MHz

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150°C (TJ)

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