ZVN4306AVSTZ
참조 용
| 부품 번호 | ZVN4306AVSTZ |
| PNEDA 부품 번호 | ZVN4306AVSTZ |
| 설명 | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,722 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 18 - 4월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ZVN4306AVSTZ 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ZVN4306AVSTZ |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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ZVN4306AVSTZ 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.1A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 330mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 350pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 850mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | E-Line (TO-92 compatible) |
| 패키지 / 케이스 | E-Line-3 |
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제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 660mA 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 170pF @ 6V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 150mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-523 패키지 / 케이스 SOT-523 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 56mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.4nC @ 4.5V Vgs (최대) 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 350pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TUMT6 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13.2nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 641pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.4W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SO 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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