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ZVP2110A

ZVP2110A

참조 용

부품 번호 ZVP2110A
PNEDA 부품 번호 ZVP2110A
설명 MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 20,142
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZVP2110A 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZVP2110A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
ZVP2110A, ZVP2110A 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 70.8 KB)
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ZVP2110A 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)230mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds100pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)700mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-92-3
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Toshiba Semiconductor and Storage

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.9Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 400µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

490pF @ 300V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

30W (Tc)

작동 온도

150°C

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220SIS

패키지 / 케이스

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

300A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.8V @ 275µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

216nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16011pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

375W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 5.5A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

490pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.7W (Ta), 60W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB23NM50N

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1330pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXTA3N50P

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IXYS

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

409pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

70W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXTA)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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