ZVP4424ASTOA
참조 용
| 부품 번호 | ZVP4424ASTOA |
| PNEDA 부품 번호 | ZVP4424ASTOA |
| 설명 | MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,568 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ZVP4424ASTOA 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ZVP4424ASTOA |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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ZVP4424ASTOA 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 240V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 200mA (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 3.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 200mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | ±40V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 200pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 750mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | E-Line (TO-92 compatible) |
| 패키지 / 케이스 | E-Line-3 |
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Ta), 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V, 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 61nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3500pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 90W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-251A 패키지 / 케이스 TO-251-3 Stub Leads, IPak |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 32A (Ta), 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 56nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4860pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.9W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric MX |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 54A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 14mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1060pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.8W (Ta), 71W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-262 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
