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ZXGD3104N8TC

ZXGD3104N8TC

참조 용

부품 번호 ZXGD3104N8TC
PNEDA 부품 번호 ZXGD3104N8TC
설명 IC SYNCH MOSFET CNTLR 8SO
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 25,998
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 12 - 3월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXGD3104N8TC 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXGD3104N8TC
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
ZXGD3104N8TC, ZXGD3104N8TC 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 946.16 KB)
PDFZXGD3104N8TC 데이터 시트 표지
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ZXGD3104N8TC 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
구동 구성High-Side or Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급5V ~ 25V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2.5A, 7A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)480ns, 50ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

12V ~ 26V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 4.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.3A, 1.7A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 100ns (Max)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

ZXGD3002E6TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

20V (Max)

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

8.3ns, 10.8ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

SOT-23-6

UCC37323DR

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 15ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

NCV5703BDR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT

전압-공급

20V

논리 전압-VIL, VIH

0.75V, 4.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

9.2ns, 7.9ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

NCP3418DR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.6V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

30V

상승 / 하강 시간 (일반)

18ns, 10ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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