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ZXGD3113W6-7

ZXGD3113W6-7

참조 용

부품 번호 ZXGD3113W6-7
PNEDA 부품 번호 ZXGD3113W6-7
설명 SYNCH MOSFET CONTROLLER SOT23 T&
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXGD3113W6-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXGD3113W6-7
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
ZXGD3113W6-7, ZXGD3113W6-7 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 463.68 KB)
PDFZXGD3113W6-7 데이터 시트 표지
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  • ZXGD3113W6-7 Distributor

ZXGD3113W6-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Synchronous
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급3.5V ~ 40V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.5A, 3A
입력 유형-
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)360ns, 210ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6
공급자 장치 패키지SOT-23-6

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제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 12.6V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.3A, 7.6A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

82ns, 12.5ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

SOT-23-6

ISL6615IBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

6.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

13ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DGD21032S8-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

70ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SC1302FSTRT

Semtech

제조업체

Semtech Corporation

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

E-L6571BD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 16.6V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

170mA, 270mA

입력 유형

RC Input Circuit

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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