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ZXMC3A16DN8TC

ZXMC3A16DN8TC

참조 용

부품 번호 ZXMC3A16DN8TC
PNEDA 부품 번호 ZXMC3A16DN8TC
설명 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXMC3A16DN8TC 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXMC3A16DN8TC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ZXMC3A16DN8TC, ZXMC3A16DN8TC 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 312.23 KB)
PDFZXMC3A16DN8TC 데이터 시트 표지
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ZXMC3A16DN8TC 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.9A, 4.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds796pF @ 25V
전력-최대1.25W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

VQ2001P

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

4 P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1A, 12V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

SI1988DH-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

168mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.1nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

110pF @ 10V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

SSM6L36TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate, 1.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA (Ta), 330mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V, 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.23nC, 1.2nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

46pF, 43pF @ 10V

전력-최대

500mW (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

UF6

APTMC120AM09CT3AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N Channel (Phase Leg)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

295A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 40mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

644nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11000pF @ 1000V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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