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ZXMC3A18DN8TA

ZXMC3A18DN8TA

참조 용

부품 번호 ZXMC3A18DN8TA
PNEDA 부품 번호 ZXMC3A18DN8TA
설명 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 7,506
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXMC3A18DN8TA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXMC3A18DN8TA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ZXMC3A18DN8TA, ZXMC3A18DN8TA 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 686.92 KB)
PDFZXMC3A18DN8TA 데이터 시트 표지
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  • ZXMC3A18DN8TA Distributor

ZXMC3A18DN8TA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.8A, 4.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs25mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs36nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1800pF @ 25V
전력-최대1.8W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

37mOhm @ 7.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 700µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual

IPG20N06S2L50ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 19µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

560pF @ 25V

전력-최대

51W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

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제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™, PolarHT™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2630pF @ 25V

전력-최대

132W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

QH8KA1TCR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

73mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

125pf @ 15V

전력-최대

2.4W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

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AON6992

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A, 31A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

820pF @ 15V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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