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ZXMD63C02XTC

ZXMD63C02XTC

참조 용

부품 번호 ZXMD63C02XTC
PNEDA 부품 번호 ZXMD63C02XTC
설명 MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP
제조업체 Diodes Incorporated
단가
1 ---------- $1.8088
250 ---------- $1.7240
500 ---------- $1.6392
1,000 ---------- $1.5544
2,500 ---------- $1.4838
5,000 ---------- $1.4131
재고 있음 410
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXMD63C02XTC 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXMD63C02XTC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ZXMD63C02XTC, ZXMD63C02XTC 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 322.82 KB)
PDFZXMD63C02XTC 데이터 시트 표지
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  • ZXMD63C02XTC Distributor

ZXMD63C02XTC 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs130mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id700mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds350pF @ 15V
전력-최대1.04W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지8-MSOP

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Central Semiconductor Corp

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-

FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

590pF @ 10V

전력-최대

1.65W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

TLM832DS

EPC2104

EPC

제조업체

EPC

시리즈

eGaN®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 5.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

800pF @ 50V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

SI3529DV-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A, 1.95A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

205pF @ 20V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

DMG8822UTS-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.9A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

841pF @ 10V

전력-최대

870mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

10V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.01V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

600mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

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