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ZXMN2088DE6TA

ZXMN2088DE6TA

참조 용

부품 번호 ZXMN2088DE6TA
PNEDA 부품 번호 ZXMN2088DE6TA
설명 MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 4,050
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXMN2088DE6TA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXMN2088DE6TA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ZXMN2088DE6TA, ZXMN2088DE6TA 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 494.44 KB)
PDFZXMN2088DE6TA 데이터 시트 표지
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ZXMN2088DE6TA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs200mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds279pF @ 10V
전력-최대1.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6
공급자 장치 패키지SOT-23-6

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30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

64mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

EFC6612R-A-TF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2.5W

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

6-CSP (1.77x3.54)

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Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

140mOhm @ 5A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

460pF @ 10V

전력-최대

4W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

12-SIP

공급자 장치 패키지

12-SIP

APTC60VDAM24T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Super Junction

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

95A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14400pF @ 25V

전력-최대

462W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

ZXMC3A17DN8TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.1A, 3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 25V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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