ZXMN3A05N8TA
참조 용
| 부품 번호 | ZXMN3A05N8TA |
| PNEDA 부품 번호 | ZXMN3A05N8TA |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,838 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 21 - 4월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ZXMN3A05N8TA 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ZXMN3A05N8TA |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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ZXMN3A05N8TA 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13.9nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 351pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 41W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-251 패키지 / 케이스 TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 QFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 350mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 290pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS 7® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 289nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 12630pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 694W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 ISOTOP® 패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC |
제조업체 Microchip Technology 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 16.5V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 700mA (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 300mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1.1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 250pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOIC 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
