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ZXTBM322TA

ZXTBM322TA

참조 용

부품 번호 ZXTBM322TA
PNEDA 부품 번호 ZXTBM322TA
설명 TRANS NPN 20V 4.5A 2X2MM 3-MLP
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 5,832
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 1 - 4월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXTBM322TA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXTBM322TA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
ZXTBM322TA, ZXTBM322TA 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 385.52 KB)
PDFZXTBM322TA 데이터 시트 표지
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ZXTBM322TA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)4.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic270mV @ 125mA, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대)25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 2A, 2V
전력-최대3W
주파수-전환140MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스3-PowerSMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지3-MLP/DFN (2x2)

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

7A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 7A, 80V

전력-최대

40W

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 5V

전력-최대

900mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

TO-92MOD

2N3737UB

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

900mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 1.5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

UB

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

500mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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