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ZXTN5551GTA

ZXTN5551GTA

참조 용

부품 번호 ZXTN5551GTA
PNEDA 부품 번호 ZXTN5551GTA
설명 TRANS NPN 160V 0.6A SOT223
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 19,920
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 22 - 2월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXTN5551GTA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXTN5551GTA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
ZXTN5551GTA, ZXTN5551GTA 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 204.35 KB)
PDFZXTN5551GTA 데이터 시트 표지
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ZXTN5551GTA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic200mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
전력-최대2W
주파수-전환130MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지SOT-223

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 200mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

4 @ 1A, 1V

전력-최대

50W

주파수-전환

11MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

2SB1198KT146R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 100mA, 3V

전력-최대

200mW

주파수-전환

180MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SMT3

ZTX1053ASTOA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

75V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 100mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

140MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3, Formed Leads

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

FMBSA56

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

700mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

MJD122T4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

4V @ 80mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 4A, 4V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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