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ZXTP03200BGTA

ZXTP03200BGTA

참조 용

부품 번호 ZXTP03200BGTA
PNEDA 부품 번호 ZXTP03200BGTA
설명 TRANS PNP 200V 2A
제조업체 Diodes Incorporated
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예상 배송 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXTP03200BGTA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXTP03200BGTA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
ZXTP03200BGTA, ZXTP03200BGTA 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 427.28 KB)
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ZXTP03200BGTA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic275mV @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 1A, 5V
전력-최대1.25W
주파수-전환105MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지SOT-223

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제조업체

Diodes Incorporated

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

2N4953

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 15mA, 150mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 150mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BDX53BFP

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 12mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 3A, 3V

전력-최대

29W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

BC560_J35Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SA1428-Y,T2F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

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Through Hole

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