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ZXTP2012ASTZ

ZXTP2012ASTZ

참조 용

부품 번호 ZXTP2012ASTZ
PNEDA 부품 번호 ZXTP2012ASTZ
설명 TRANS PNP 60V 3.5A TO92-3
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 2,160
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 25 - 1월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXTP2012ASTZ 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXTP2012ASTZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
ZXTP2012ASTZ, ZXTP2012ASTZ 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 124.51 KB)
PDFZXTP2012ASTZ 데이터 시트 표지
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ZXTP2012ASTZ 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic210mV @ 400mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대)20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 1A, 1V
전력-최대1W
주파수-전환120MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지E-Line (TO-92 compatible)

관심을 가질만한 제품

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

350V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 10V

전력-최대

1.56W

주파수-전환

10MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

BUX10

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

125V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 2A, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

1.5mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 10A, 2V

전력-최대

150W

주파수-전환

8MHz

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

TO-204AA, TO-3

공급자 장치 패키지

TO-3

MJD45H11-1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 4A, 1V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

90MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

공급자 장치 패키지

I-PAK

MMBT4401LT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 1V

전력-최대

300mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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Nexperia

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

1.15W

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장착 유형

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