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BU1510-M3/45
BU1510-M3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

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BRIDGE RECT 1P 1KV 15A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 15A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 7.5A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음21,084
BU1510-M3/51
BU1510-M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

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BRIDGE RECT 1P 1KV 15A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 15A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 7.5A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음6,498
BU20065S-E3/45
BU20065S-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

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BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU-5S

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-ESIP, BU-5S
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU-5S
재고 있음18,264
BU20065S-M3/45
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Vishay Semiconductor Diodes Division

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BRIDGE RECT 1P 600V 20A BU-5S

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 20A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-ESIP, BU-5S
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU-5S
재고 있음2,376
BU2006-E3/45
BU2006-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

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BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음85
BU2006-E3/51
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Vishay Semiconductor Diodes Division

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BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음6,282
BU2006-M3/45
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BRIDGE RECT 1P 600V 20A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 20A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음14,904
BU2006-M3/51
BU2006-M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

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BRIDGE RECT 1P 600V 20A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 20A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음8,010
BU20085S-E3/45
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Vishay Semiconductor Diodes Division

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BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A BU-5S

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-ESIP, BU-5S
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU-5S
재고 있음7,344
BU20085S-M3/45
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BRIDGE RECT 1P 800V 20A BU-5S

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 20A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-ESIP, BU-5S
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU-5S
재고 있음7,776
BU2008-E3/45
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BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음17,964
BU2008-E3/51
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BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음20,328
BU2008-M3/45
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BRIDGE RECT 1P 800V 20A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 20A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음17,856
BU2008-M3/51
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BRIDGE RECT 1P 800V 20A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 20A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음6,264
BU20105S-E3/45
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Vishay Semiconductor Diodes Division

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BRIDGE RECT 1P 1KV 3.5A BU-5S

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-ESIP, BU-5S
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU-5S
재고 있음6,696
BU20105S-M3/45
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BRIDGE RECT 1P 1KV 20A BU-5S

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 20A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-ESIP, BU-5S
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU-5S
재고 있음2,538
BU2010-E3/45
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Vishay Semiconductor Diodes Division

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BRIDGE RECT 1P 1KV 3.5A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음331
BU2010-E3/51
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Vishay Semiconductor Diodes Division

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BRIDGE RECT 1P 1KV 3.5A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음41,214
BU2010-M3/45
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Vishay Semiconductor Diodes Division

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BRIDGE RECT 1P 1KV 20A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 20A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음17,676
BU2010-M3/51
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Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1P 1KV 20A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 20A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 10A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음5,562
BU25065S-E3/45
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Vishay Semiconductor Diodes Division

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BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU-5S

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 12.5A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-ESIP, BU-5S
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU-5S
재고 있음8,064
BU25065S-M3/45
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Vishay Semiconductor Diodes Division

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BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU-5S

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 12.5A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-ESIP, BU-5S
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU-5S
재고 있음3,636
BU2506-E3/45
BU2506-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

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BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 12.5A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음2,098
BU2506-E3/51
BU2506-E3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

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BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 12.5A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음2,288
BU2506-M3/45
BU2506-M3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 12.5A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음15,606
BU2506-M3/51
BU2506-M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 12.5A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음4,842
BU25085S-E3/45
BU25085S-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A BU-5S

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 12.5A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-ESIP, BU-5S
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU-5S
재고 있음7,884
BU25085S-M3/45
BU25085S-M3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A BU-5S

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 12.5A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-ESIP, BU-5S
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU-5S
재고 있음3,780
BU2508-E3/45
BU2508-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 12.5A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음18,727
BU2508-E3/51
BU2508-E3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A BU

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 12.5A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, BU
  • 공급자 장치 패키지: isoCINK+™ BU
재고 있음6,534