절연체

부품 번호	설명	재고 있음
4N37TVM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음14,628
4N37-V Everlight Electronics Co Ltd	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음5,292
4N37VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,672
4N37W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,176
4N37-X000 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음12,024
4N37-X001 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음8,280
4N37-X006 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음8,172
4N37-X007 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음2,088
4N37-X009 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음6,966
4N38 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음1,670
4N38 Everlight Electronics Co Ltd	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음24,073
4N38 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 20mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음35,337
4N38300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음5,454
4N38300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,418
4N383S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,896
4N383SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음8,982
4N38A(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOCOUPLER TRANS 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음2,214
4N38M Everlight Electronics Co Ltd	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음27,854
4N38M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음5,075
4N38M-V Everlight Electronics Co Ltd	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음7,704
4N38S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,230
4N38S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음7,218
4N38S1(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음2,988
4N38S1(TB) Everlight Electronics Co Ltd	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음5,094
4N38S1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음8,550
4N38SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음3,060
4N38(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,780
4N38SM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음3,562
4N38SR2M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음6,822
4N38S(TA) Everlight Electronics Co Ltd	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음2,592

4N37TVM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음14,628

4N37-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음5,292

4N37VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,672

4N37W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,176

4N37-X000

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음12,024

4N37-X001

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음8,280

4N37-X006

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음8,172

4N37-X007

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음2,088

4N37-X009

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음6,966

4N38

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음1,670

4N38

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음24,073

4N38

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 20mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음35,337

4N38300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음5,454

4N38300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,418

4N383S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,896

4N383SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음8,982

4N38A(SHORT,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER TRANS

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음2,214

4N38M

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음27,854

4N38M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음5,075

4N38M-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음7,704

4N38S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,230

4N38S1(TA)

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음7,218

4N38S1(TA)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음2,988

4N38S1(TB)

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음5,094

4N38S1(TB)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음8,550

4N38SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음3,060

4N38(SHORT,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,780

4N38SM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음3,562

4N38SR2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음6,822

4N38S(TA)

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음2,592

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