절연체

부품 번호	설명	재고 있음
6N135SVM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 230ns, 450ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음2,580
6N135TVM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 8PW 1MB TR WL DIP VDE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 230ns, 450ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음7,434
6N135V ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 450ns, 500ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음6,246
6N135-V Everlight Electronics Co Ltd	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 350ns, 500ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음5,688
6N135VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 230ns, 450ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음2,412
6N135W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 450ns, 500ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음8,694
6N135WV ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 450ns, 500ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음3,636
6N135-X007 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 300ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.33V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음19,776
6N135-X007T Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 300ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.33V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음8,856
6N135-X017 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 300ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.33V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음3,472
6N135-X017T Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 300ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.33V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음12,696
6N136 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 450ns, 500ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음120,128
6N136 Broadcom	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음231,136
6N136 Everlight Electronics Co Ltd	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 350ns, 300ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음61,728
6N136 QT Brightek (QTB)	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 8 PIN 1 MBITS HIGH SPEED PHOTOTR 제조업체: QT Brightek (QTB) 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 350ns, 350ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음86,924
6N136 Isocom Components 2004 LTD	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: Isocom Components 2004 LTD 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 150ns, 400ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음84,077
6N136 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 200ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.33V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음248,774
6N136 Lite-On Inc.	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: Lite-On Inc. 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 100ns, 400ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음154,566
6N136-000E Broadcom	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음19,584
6N136#020 Broadcom	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음8,676
6N136-020E Broadcom	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음665
6N136#060 Broadcom	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음4,806
6N136-060E Broadcom	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8DIP 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음4,698
6N136#300 Broadcom	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8SMD 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음609
6N136-300E Broadcom	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8SMD 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing	재고 있음70,854
6N136#320 Broadcom	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8SMD 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음5,760
6N136-320E Broadcom	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8SMD 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음7,866
6N136#500 Broadcom	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8SMD 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음3,042
6N136-500E Broadcom	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8SMD 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음317,933
6N136#520 Broadcom	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8SMD 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음2,646

6N135SVM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 230ns, 450ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음2,580

6N135TVM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

8PW 1MB TR WL DIP VDE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 230ns, 450ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음7,434

6N135V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 450ns, 500ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음6,246

6N135-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 350ns, 500ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음5,688

6N135VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 230ns, 450ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음2,412

6N135W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 450ns, 500ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음8,694

6N135WV

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 450ns, 500ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음3,636

6N135-X007

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 300ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.33V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음19,776

6N135-X007T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 300ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.33V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음8,856

6N135-X017

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 300ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.33V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음3,472

6N135-X017T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 300ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.33V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음12,696

6N136

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 450ns, 500ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음120,128

6N136

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음231,136

6N136

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 350ns, 300ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음61,728

6N136

QT Brightek (QTB)

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

8 PIN 1 MBITS HIGH SPEED PHOTOTR

제조업체: QT Brightek (QTB)
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 350ns, 350ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음86,924

6N136

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: Isocom Components 2004 LTD
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 150ns, 400ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음84,077

6N136

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 200ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.33V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음248,774

6N136

Lite-On Inc.

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: Lite-On Inc.
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 100ns, 400ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음154,566

6N136-000E

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음19,584

6N136#020

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음8,676

6N136-020E

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음665

6N136#060

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음4,806

6N136-060E

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8DIP

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음4,698

6N136#300

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8SMD

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음609

6N136-300E

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8SMD

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing

재고 있음70,854

6N136#320

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8SMD

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음5,760

6N136-320E

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8SMD

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음7,866

6N136#500

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8SMD

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음3,042

6N136-500E

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8SMD

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음317,933

6N136#520

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8SMD

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 200ns, 600ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음2,646

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message