절연체

부품 번호	설명	재고 있음
CNX48U300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 350% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 36µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음6,192
CNX48U300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 350% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 36µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음2,538
CNX48U3S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 350% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 36µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,122
CNX48U3SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 350% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 36µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음6,948
CNX48US ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 350% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 36µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음5,868
CNX48USD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 350% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 36µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음8,514
CNX48UW ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 350% @ 500µA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 36µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,140
CNX82A300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 250% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 50V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음987
CNX82AW ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 250% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 50V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,660
CNX83A300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 250% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 50V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음7,992
CNX83AW ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 250% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 50V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음7,074
CNY117-1 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음2,826
CNY117-1X001 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음2,736
CNY117-1X006 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음2,880
CNY117-1X007T Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음6,354
CNY117-1X016 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음6,066
CNY117-1X017T Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음2,196
CNY117-2 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,474
CNY117-2X001 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음8,082
CNY117-2X006 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음211,224
CNY117-2X007T Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음5,760
CNY117-2X016 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음8,478
CNY117-2X017T Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,536
CNY117-3 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,536
CNY117-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,212
CNY117-3X006 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음7,002
CNY117-3X007T Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음7,578
CNY117-3X016 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,960
CNY117-3X017T Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음6,264
CNY117-4 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음17,772

CNX48U300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 350% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 36µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음6,192

CNX48U300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 350% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 36µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음2,538

CNX48U3S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 350% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 36µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,122

CNX48U3SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 350% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 36µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음6,948

CNX48US

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 350% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 36µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음5,868

CNX48USD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 350% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 36µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음8,514

CNX48UW

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 350% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 36µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,140

CNX82A300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 250% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 50V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음987

CNX82AW

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 250% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 50V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,660

CNX83A300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 250% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 50V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음7,992

CNX83AW

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 250% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 50V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음7,074

CNY117-1

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음2,826

CNY117-1X001

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음2,736

CNY117-1X006

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음2,880

CNY117-1X007T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음6,354

CNY117-1X016

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음6,066

CNY117-1X017T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음2,196

CNY117-2

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,474

CNY117-2X001

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음8,082

CNY117-2X006

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음211,224

CNY117-2X007T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음5,760

CNY117-2X016

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음8,478

CNY117-2X017T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,536

CNY117-3

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,536

CNY117-3X001

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,212

CNY117-3X006

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음7,002

CNY117-3X007T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음7,578

CNY117-3X016

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,960

CNY117-3X017T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음6,264

CNY117-4

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.39V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음17,772

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message