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JANTXV4N23
JANTXV4N23

TT Electronics/Optek Technology

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 1KV TRANS W/BASE TO78-6

  • 제조업체: TT Electronics/Optek Technology
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 60% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20µs, 20µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 40V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-78-6
재고 있음7,218
JANTXV4N23A
JANTXV4N23A

TT Electronics/Optek Technology

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 1KV TRANS W/BASE TO78-6

  • 제조업체: TT Electronics/Optek Technology
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 60% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20µs, 20µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 40V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-78-6
재고 있음3,150
JANTXV4N23U
JANTXV4N23U

TT Electronics/Optek Technology

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

6 PIN, SMT OPTICALLY COUPLED ISO

  • 제조업체: TT Electronics/Optek Technology
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 60% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 35V
  • 전류-출력 / 채널: 6mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-LCC
  • 공급자 장치 패키지: 6-LCC (4.32x6.22)
재고 있음3,942
JANTXV4N24
JANTXV4N24

TT Electronics/Optek Technology

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 1KV TRANS W/BASE TO78-6

  • 제조업체: TT Electronics/Optek Technology
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20µs, 20µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 40V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-78-6
재고 있음7,308
JANTXV4N24A
JANTXV4N24A

TT Electronics/Optek Technology

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 1KV TRANS W/BASE TO78-6

  • 제조업체: TT Electronics/Optek Technology
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20µs, 20µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 40V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-78-6
재고 있음5,130
JANTXV4N24U
JANTXV4N24U

TT Electronics/Optek Technology

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

6 PIN, SMT OPTICALLY COUPLED ISO

  • 제조업체: TT Electronics/Optek Technology
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20µs, 20µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 35V
  • 전류-출력 / 채널: 10mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-LCC
  • 공급자 장치 패키지: 6-LCC (4.32x6.22)
재고 있음5,130
JANTXV4N47
JANTXV4N47

TT Electronics/Optek Technology

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 1KV TRANS W/BASE TO78-6

  • 제조업체: TT Electronics/Optek Technology
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20µs, 20µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 40V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-78-6
재고 있음4,572
JANTXV4N47A
JANTXV4N47A

TT Electronics/Optek Technology

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 1KV TRANS W/BASE TO78-6

  • 제조업체: TT Electronics/Optek Technology
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20µs, 20µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 40V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-78-6
재고 있음2,268
JANTXV4N47U
JANTXV4N47U

TT Electronics/Optek Technology

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

6 PIN, SMT OPTICALLY COUPLED ISO

  • 제조업체: TT Electronics/Optek Technology
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 2mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20µs, 20µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 45V
  • 전류-출력 / 채널: 500µA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-LCC
  • 공급자 장치 패키지: 6-LCC (4.32x6.22)
재고 있음4,608
JANTXV4N48
JANTXV4N48

TT Electronics/Optek Technology

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 1KV TRANS W/BASE TO78-6

  • 제조업체: TT Electronics/Optek Technology
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 500% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20µs, 20µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 40V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-78-6
재고 있음3,418
JANTXV4N48A
JANTXV4N48A

TT Electronics/Optek Technology

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 1KV TRANS W/BASE TO78-6

  • 제조업체: TT Electronics/Optek Technology
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 500% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20µs, 20µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 40V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-78-6
재고 있음3,562
JANTXV4N48U
JANTXV4N48U

TT Electronics/Optek Technology

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

6 PIN, SMT OPTICALLY COUPLED ISO

  • 제조업체: TT Electronics/Optek Technology
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 2mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20µs, 20µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 45V
  • 전류-출력 / 채널: 5mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-LCC
  • 공급자 장치 패키지: 6-LCC (4.32x6.22)
재고 있음2,358
JANTXV4N49
JANTXV4N49

TT Electronics/Optek Technology

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 1KV TRANS W/BASE TO78-6

  • 제조업체: TT Electronics/Optek Technology
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1000% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20µs, 20µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 40V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-78-6
재고 있음511
JANTXV4N49A
JANTXV4N49A

TT Electronics/Optek Technology

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 1KV TRANS W/BASE TO78-6

  • 제조업체: TT Electronics/Optek Technology
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 1000% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20µs, 20µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 40V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-78-6
재고 있음97
JANTXV4N49U
JANTXV4N49U

TT Electronics/Optek Technology

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

6 PIN, SMT OPTICALLY COUPLED ISO

  • 제조업체: TT Electronics/Optek Technology
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1000VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 2mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20µs, 20µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 45V
  • 전류-출력 / 채널: 10mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-LCC
  • 공급자 장치 패키지: 6-LCC (4.32x6.22)
재고 있음5,418
K7468
K7468

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: -
  • 전압-절연: -
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: -
  • 출력 유형: -
  • 전압-출력 (최대): -
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,022
K814P
K814P

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음24,348
K815P
K815P

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARLINGTON 4DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 600% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -, 250µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 300µs, -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 35V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 100mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음13,698
K817P
K817P

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음6,138
K817P1
K817P1

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음4,788
K817P2
K817P2

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음1,022
K817P3
K817P3

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음4,734
K817P4
K817P4

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음4,572
K817P5
K817P5

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음3,567
K817P6
K817P6

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음7,572
K817P7
K817P7

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음2,016
K817P8
K817P8

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음5,878
K817P9
K817P9

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음12,578
K824P
K824P

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV 2CH TRANSISTOR 8DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음4,860
K825P
K825P

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV 2CH DARL 8DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 600% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -, 250µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 300µs, -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 35V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 100mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음17,796