절연체

부품 번호	설명	재고 있음
MCT2202300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음10,697
MCT22023S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음5,994
MCT22023SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음5,580
MCT2202S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음8,028
MCT2202SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음7,002
MCT2202W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음7,992
MCT2300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음5,472
MCT2300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음6,966
MCT23S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음6,516
MCT23SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음8,010
MCT26 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOISOLATOR 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 6% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음7,866
MCT270 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 TRANSISTOR OPTOISOLATOR 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 115% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): 90mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,140
MCT271 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,446
MCT271300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,546
MCT271300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,438
MCT2713S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음7,992
MCT2713SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음8,316
MCT271M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음2,160
MCT271S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음3,492
MCT271SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음5,256
MCT271W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음8,352
MCT2E ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음45,832
MCT2E Everlight Electronics Co Ltd	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.23V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음46,114
MCT2E300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음6,984
MCT2E300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음2,484
MCT2E3S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음2,142
MCT2E3SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음3,474
MCT2EFM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 1.5µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음7,272
MCT2EFR2M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 1.5µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음2,592
MCT2EFR2VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 1.5µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음7,434

MCT2202300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음10,697

MCT22023S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음5,994

MCT22023SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음5,580

MCT2202S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음8,028

MCT2202SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음7,002

MCT2202W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음7,992

MCT2300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음5,472

MCT2300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음6,966

MCT23S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음6,516

MCT23SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음8,010

MCT26

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOISOLATOR

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 6% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음7,866

MCT270

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

TRANSISTOR OPTOISOLATOR

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 115% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): 90mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,140

MCT271

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,446

MCT271300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,546

MCT271300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,438

MCT2713S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음7,992

MCT2713SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음8,316

MCT271M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음2,160

MCT271S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음3,492

MCT271SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음5,256

MCT271W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 45% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 90% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1µs, 48µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음8,352

MCT2E

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음45,832

MCT2E

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.23V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음46,114

MCT2E300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음6,984

MCT2E300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음2,484

MCT2E3S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음2,142

MCT2E3SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.1µs, 50µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음3,474

MCT2EFM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 1.5µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음7,272

MCT2EFR2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 1.5µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음2,592

MCT2EFR2VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 1.5µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음7,434

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