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MCT6-X009
MCT6-X009

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV 2CH TRANS 8SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음2,574
MCT6-X009T
MCT6-X009T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV 2CH TRANS 8SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음5,634
MCT9001
MCT9001

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV 2CH TRANSISTOR 8DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 55V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음30,622
MCT9001S
MCT9001S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV 2CH TRANSISTOR 8SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 55V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음27,450
MCT9001SD
MCT9001SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV 2CH TRANSISTOR 8SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 55V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-SMD
재고 있음15,860
MCT9001W
MCT9001W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV 2CH TRANSISTOR 8DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 55V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음6,858
MOC119
MOC119

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARLINGTON 6-DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 95µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음31,020
MOC119300
MOC119300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARLINGTON 6-DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 95µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음3,222
MOC119300W
MOC119300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARLINGTON 6-DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 95µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음6,444
MOC1193S
MOC1193S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARLINGTON 6-SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 95µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음4,158
MOC1193SD
MOC1193SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARLINGTON 6-SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 95µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음8,586
MOC119M
MOC119M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARLINGTON 6-DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 95µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음6,318
MOC119-M
MOC119-M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCOUPLER DARL-OUT 6-DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음7,200
MOC119S
MOC119S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARLINGTON 6-SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 95µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음6,372
MOC119SD
MOC119SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARLINGTON 6-SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 95µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음12,081
MOC119W
MOC119W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARLINGTON 6-DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 95µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음5,526
MOC205M
MOC205M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음19,170
MOC205R1M
MOC205R1M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음19
MOC205R1VM
MOC205R1VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음5,832
MOC205R2M
MOC205R2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음141
MOC205R2VM
MOC205R2VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음4,032
MOC205VM
MOC205VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음3,204
MOC206M
MOC206M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음56,778
MOC206R1M
MOC206R1M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음10,246
MOC206R1VM
MOC206R1VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음6,516
MOC206R2M
MOC206R2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음26,058
MOC206R2VM
MOC206R2VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음6,228
MOC206VM
MOC206VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음3,454
MOC207M
MOC207M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음15,419
MOC207M_F132
MOC207M_F132

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음5,364