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VO615A-8X018T
VO615A-8X018T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.43V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음5,076
VO615A-9
VO615A-9

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.43V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음46,920
VO615A-9X006
VO615A-9X006

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.43V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음30,288
VO615A-9X007T
VO615A-9X007T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.43V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음6,480
VO615A-9X016
VO615A-9X016

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.43V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음4,284
VO615A-9X017T
VO615A-9X017T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.43V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음142,674
VO615A-X001
VO615A-X001

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.43V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음28,950
VO615A-X006
VO615A-X006

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.43V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음8,802
VO615A-X007T
VO615A-X007T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.43V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음14,844
VO615A-X009T
VO615A-X009T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.43V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음4,410
VO615A-X017T
VO615A-X017T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.43V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음4,122
VO615C-2X016
VO615C-2X016

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 4µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음5,652
VO615C-3X016
VO615C-3X016

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 4µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음2,880
VO615C-4X016
VO615C-4X016

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 4µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음8,280
VO617A
VO617A

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음28,824
VO617A-1
VO617A-1

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음26,886
VO617A-2
VO617A-2

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음28,956
VO617A-2X007T
VO617A-2X007T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음3,636
VO617A-2X017T
VO617A-2X017T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음7,218
VO617A-3
VO617A-3

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음3,492
VO617A-3X006
VO617A-3X006

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음8,568
VO617A-3X007T
VO617A-3X007T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음6,228
VO617A-3X016
VO617A-3X016

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음22,734
VO617A-3X017T
VO617A-3X017T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음51,512
VO617A-4
VO617A-4

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음81,630
VO617A-4X006
VO617A-4X006

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음2,034
VO617A-4X007T
VO617A-4X007T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음3,204
VO617A-4X016
VO617A-4X016

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음48,036
VO617A-4X017T
VO617A-4X017T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음19,152
VO617A-7X017T
VO617A-7X017T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음19,992