사이리스터

부품 번호	설명	재고 있음
T1620N65TOFXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 6500V 2530A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 6.5kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2290A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 2530A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 36000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음6,336
T1651N70TOHPRXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 DIODE MODULE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 7kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2350A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 2620A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: TO-200AF	재고 있음6,570
T1651N70TS11XPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 DIODE MODULE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 7kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2350A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 2620A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: TO-200AF	재고 있음7,848
T1800N42TOFPRXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 4200V 2820A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 4.2kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2490A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 2820A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 41000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음6,696
T1800N42TOFXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 4200V 2820A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 4.2kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2490A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 2820A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 41000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음8,334
T1800N45TS07PRXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 DIODE MODULE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: - SCR, 다이오드 수: - 전압-꺼짐 상태: - 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): - 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): - 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): - 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): - 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): - 전류-홀드 (Ih) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: TO-200AF	재고 있음5,994
T1851N60TOHXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 7000V 2880A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 7000V 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1830A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 2880A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음4,158
T1851N70TOHXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 7000V 2880A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 7000V 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1830A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 2880A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음5,814
T1851N70TS09XPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 DIODE MODULE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 7kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2550A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 2880A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: TO-200AF	재고 있음5,724
T1901N70TS07XPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE T15035K-1-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: - SCR, 다이오드 수: - 전압-꺼짐 상태: - 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): - 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): - 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): - 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): - 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): - 전류-홀드 (Ih) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음4,878
T1901N80TOHXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 8000V 3300A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 8kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2930A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 3300A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 67000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음6,678
T1901N80TS01PRQRHOSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 DIODE MODULE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 8kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2930A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 3300A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 67000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: TO-200AF	재고 있음8,514
T1930N32TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 3.8kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2180A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4200A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음8,892
T1930N34TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 3.8kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2180A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4200A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음8,154
T1930N36TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 3.8kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2180A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4200A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음8,496
T1930N38TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 3.8kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2180A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4200A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음5,724
T1960N18TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 2200V 4100A DO200AD 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 2.2kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1960A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4100A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AD	재고 있음8,244
T1960N20TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 2200V 4100A DO200AD 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 2.2kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1960A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4100A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AD	재고 있음7,326
T1960N22TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 2200V 4100A DO200AD 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 2.2kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1960A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4100A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AD	재고 있음3,024
T2001N34TOFXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 3600V 29900A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 3600V 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1900A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 29900A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음4,212
T2001N36TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 3600V 3200A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 3.6kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2890A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 3200A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음7,128
T2001N36TOFXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 3600V 29900A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 3600V 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1900A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 29900A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음2,466
T201N65TOHXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 7000V 385A DO200AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 7kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 340A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 385A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 4700A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AB, B-PUK	재고 있음7,578
T201N70TOHXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 7000V 385A DO200AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 7kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 340A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 385A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 4700A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AB, B-PUK	재고 있음3,906
T2160N20TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 2.8kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2400A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4600A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음5,076
T2160N22TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 2.8kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2400A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4600A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음7,974
T2160N24TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 2.8kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2400A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4600A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음7,434
T2160N26TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 2.8kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2400A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4600A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음3,780
T2160N28TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 2.8kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2400A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4600A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음3,006
T2161N52TOHXPSA1 Infineon Technologies	사이리스터-SCR-모듈 SCR MODULE 5200V 3250A DO200AE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구조: Single SCR, 다이오드 수: 1 SCR 전압-꺼짐 상태: 5.2kV 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2860A 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 3250A 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 55000A @ 50Hz 전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: DO-200AE	재고 있음8,928

T1620N65TOFXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 6500V 2530A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 6.5kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2290A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 2530A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 36000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음6,336

T1651N70TOHPRXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

DIODE MODULE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 7kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2350A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 2620A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: TO-200AF

재고 있음6,570

T1651N70TS11XPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

DIODE MODULE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 7kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2350A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 2620A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: TO-200AF

재고 있음7,848

T1800N42TOFPRXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 4200V 2820A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 4.2kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2490A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 2820A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 41000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음6,696

T1800N42TOFXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 4200V 2820A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 4.2kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2490A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 2820A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 41000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음8,334

T1800N45TS07PRXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

DIODE MODULE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: -
SCR, 다이오드 수: -
전압-꺼짐 상태: -
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): -
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): -
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
전류-홀드 (Ih) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: TO-200AF

재고 있음5,994

T1851N60TOHXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 7000V 2880A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 7000V
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1830A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 2880A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음4,158

T1851N70TOHXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 7000V 2880A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 7000V
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1830A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 2880A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음5,814

T1851N70TS09XPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

DIODE MODULE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 7kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2550A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 2880A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: TO-200AF

재고 있음5,724

T1901N70TS07XPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE T15035K-1-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: -
SCR, 다이오드 수: -
전압-꺼짐 상태: -
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): -
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): -
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
전류-홀드 (Ih) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음4,878

T1901N80TOHXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 8000V 3300A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 8kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2930A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 3300A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 67000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음6,678

T1901N80TS01PRQRHOSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

DIODE MODULE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 8kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2930A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 3300A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 67000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: TO-200AF

재고 있음8,514

T1930N32TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 3.8kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2180A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4200A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음8,892

T1930N34TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 3.8kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2180A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4200A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음8,154

T1930N36TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 3.8kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2180A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4200A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음8,496

T1930N38TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 3.8kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2180A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4200A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음5,724

T1960N18TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 2200V 4100A DO200AD

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 2.2kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1960A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4100A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AD

재고 있음8,244

T1960N20TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 2200V 4100A DO200AD

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 2.2kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1960A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4100A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AD

재고 있음7,326

T1960N22TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 2200V 4100A DO200AD

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 2.2kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1960A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4100A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AD

재고 있음3,024

T2001N34TOFXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 3600V 29900A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 3600V
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1900A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 29900A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음4,212

T2001N36TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 3600V 3200A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 3.6kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2890A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 3200A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음7,128

T2001N36TOFXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 3600V 29900A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 3600V
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1900A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 29900A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음2,466

T201N65TOHXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 7000V 385A DO200AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 7kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 340A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 385A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 4700A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AB, B-PUK

재고 있음7,578

T201N70TOHXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 7000V 385A DO200AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 7kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 340A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 385A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 4700A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AB, B-PUK

재고 있음3,906

T2160N20TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 2.8kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2400A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4600A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음5,076

T2160N22TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 2.8kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2400A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4600A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음7,974

T2160N24TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 2.8kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2400A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4600A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음7,434

T2160N26TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 2.8kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2400A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4600A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음3,780

T2160N28TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 2.8kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2400A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 4600A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 3V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 300mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 300mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

재고 있음3,006

T2161N52TOHXPSA1

Infineon Technologies

사이리스터-SCR-모듈

SCR MODULE 5200V 3250A DO200AE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
구조: Single
SCR, 다이오드 수: 1 SCR
전압-꺼짐 상태: 5.2kV
전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 2860A
전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 3250A
전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2.5V
전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 350mA
전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 55000A @ 50Hz
전류-홀드 (Ih) (최대): 350mA
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: DO-200AE

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