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사이리스터

기록 9,583
페이지 38/320
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
ID104
ID104

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 전압-꺼짐 상태: -
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): -
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): -
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): -
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): -
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
  • SCR 유형: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,770
IXHH40N150HV

사이리스터-SCR

THYRISTOR MOS 1500V 40A TO-247HV

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 전압-꺼짐 상태: 1.5kV
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): -
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): -
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): -
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): -
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
  • SCR 유형: Standard Recovery
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
  • 공급자 장치 패키지: TO-247HV
재고 있음2,412
IXHX40N150V1HV

사이리스터-SCR

THYRISTOR MOS 1500V 40A TO247+HV

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 전압-꺼짐 상태: 1.5kV
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): -
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): -
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): -
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): -
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
  • SCR 유형: Standard Recovery
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
  • 공급자 장치 패키지: TO-247PLUS-HV
재고 있음8,388
JAN2N2323
JAN2N2323

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO-5

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 50V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): -
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음5,400
JAN2N2323A
JAN2N2323A

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO-5

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 50V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): -
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음8,190
JAN2N2323AS
JAN2N2323AS

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO39

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 50V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): -
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)
재고 있음3,528
JAN2N2323AU4
JAN2N2323AU4

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 50V 3SMD

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 50V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): 10µA
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
  • SCR 유형: Standard Recovery
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
  • 공급자 장치 패키지: U4
재고 있음2,862
JAN2N2323S
JAN2N2323S

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO39

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 50V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): -
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)
재고 있음5,122
JAN2N2323U4
JAN2N2323U4

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 50V 3SMD

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 50V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): 10µA
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
  • SCR 유형: Standard Recovery
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
  • 공급자 장치 패키지: U4
재고 있음4,320
JAN2N2324
JAN2N2324

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 100V TO205AA

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 100V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): 10µA
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
  • SCR 유형: Standard Recovery
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음3,164
JAN2N2324A
JAN2N2324A

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO-5

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 100V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): -
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음250
JAN2N2324AS
JAN2N2324AS

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO39

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 100V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): -
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)
재고 있음198
JAN2N2324AU4
JAN2N2324AU4

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 100V 3SMD

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 100V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): 10µA
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
  • SCR 유형: Standard Recovery
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
  • 공급자 장치 패키지: U4
재고 있음8,784
JAN2N2324S
JAN2N2324S

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 100V TO205AA

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 100V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): 10µA
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
  • SCR 유형: Standard Recovery
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음8,946
JAN2N2324U4
JAN2N2324U4

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 100V 3SMD

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 100V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): 10µA
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
  • SCR 유형: Standard Recovery
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
  • 공급자 장치 패키지: U4
재고 있음7,524
JAN2N2325
JAN2N2325

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 150V TO205AA

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-STD-701
  • 전압-꺼짐 상태: 150V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): 2.2V
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1.6A
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): 10µA
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음5,058
JAN2N2325A
JAN2N2325A

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 150V TO205AA

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-STD-701
  • 전압-꺼짐 상태: 150V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): 2.2V
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1.6A
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): 10µA
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음6,732
JAN2N2325AS
JAN2N2325AS

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 150V TO205AA

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-STD-701
  • 전압-꺼짐 상태: 150V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): 2.2V
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1.6A
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): 10µA
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음6,174
JAN2N2325AU4
JAN2N2325AU4

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 150V 3SMD

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-STD-701
  • 전압-꺼짐 상태: 150V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): 2.2V
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1.6A
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): 10µA
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
  • 공급자 장치 패키지: U4
재고 있음4,644
JAN2N2325S
JAN2N2325S

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 150V TO205AA

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-STD-701
  • 전압-꺼짐 상태: 150V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): 2.2V
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1.6A
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): 10µA
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음3,384
JAN2N2325U4
JAN2N2325U4

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 150V 3SMD

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-STD-701
  • 전압-꺼짐 상태: 150V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): 2.2V
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 1.6A
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): 10µA
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
  • 공급자 장치 패키지: U4
재고 있음8,370
JAN2N2326
JAN2N2326

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 200V TO205AA

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 200V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): 10µA
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
  • SCR 유형: Standard Recovery
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음4,842
JAN2N2326A
JAN2N2326A

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO-5

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 200V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): -
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음4,266
JAN2N2326AS
JAN2N2326AS

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO39

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 200V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): -
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)
재고 있음1,864
JAN2N2326AU4
JAN2N2326AU4

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 200V 3SMD

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 200V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): 10µA
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
  • SCR 유형: Standard Recovery
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
  • 공급자 장치 패키지: U4
재고 있음7,308
JAN2N2326S
JAN2N2326S

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO39

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 200V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): -
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)
재고 있음8,982
JAN2N2326U4
JAN2N2326U4

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 200V 3SMD

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 200V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): 10µA
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
  • SCR 유형: Standard Recovery
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
  • 공급자 장치 패키지: U4
재고 있음6,372
JAN2N2328
JAN2N2328

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO-5

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 300V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): -
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음7,218
JAN2N2328A
JAN2N2328A

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO-5

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 300V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): -
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음7,308
JAN2N2328AS
JAN2N2328AS

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO39

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
  • 전압-꺼짐 상태: 300V
  • 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
  • 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
  • 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
  • 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
  • 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
  • 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
  • 전류-꺼짐 상태 (최대): -
  • 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
  • SCR 유형: Sensitive Gate
  • 작동 온도: -65°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)
재고 있음6,192