트랜지스터

AOT254L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 4.2A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Ta), 32A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 75V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT25S65L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 25A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: aMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1278pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 357W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT2606L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 13A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 72A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4050pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 115W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT2608L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 11A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 72A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2995pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT260L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 140A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 140A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14200pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.9W (Ta), 330W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT2610L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 9A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 55A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2007pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT2618L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 7A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 23A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 41.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT262L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 140A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9800pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT264L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 19A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 140A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8400pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT266L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 18A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 140A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5650pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 268W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT270AL

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 21.5A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.5A (Ta), 140A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 206nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10830pF @ 37.5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT270L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 21.5A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.5A (Ta), 140A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 215nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10350pF @ 37.5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT27S60L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 27A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: aMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1294pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 357W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT280L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 20.5A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.5A (Ta), 140A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11135pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT282L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 18.5A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.5A (Ta), 105A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 178nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7765pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 272.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

AOT284L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 80V 16A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 105A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5154pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 250W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT286L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 80V 13A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 70A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3142pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT288L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 80V 10.5A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Ta), 46A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1871pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 93.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT2904

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 120A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: AlphaSGT™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 135nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7085pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 326W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

AOT2906

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT290L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 140A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 140A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 126nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9550pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT2910L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 100V 6A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1190pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 100V 5A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 23A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 41.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 90A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 90A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3430pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 267W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT292L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 105A TO220F

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.5A (Ta), 105A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 126nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6775pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 300W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT296L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 9.5A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 70A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2785pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 107W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT298L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 9A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 58A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT29S50L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 29A TO220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: aMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26.6nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1312pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 357W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT2N60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 2A TO-220

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 74W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AOT380A60L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

600V A MOS5TM N-CHANNEL POWER TR

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: aMOS5™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 955pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 131W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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