트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APT1002RBNG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS IV® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 240W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AD 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,066
APT10035B2LLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5185pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 690W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2] 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음4,482
APT10035JLL Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5185pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음8,010
APT1003RBLLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 694pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 139W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,100
APT1003RKLLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 694pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 139W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 [K] 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,994
APT10045B2LLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 154nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 565W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2] 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음8,982
APT10045JLL Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 154nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 460W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음3,618
APT10078BLLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2525pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 403W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,032
APT10078SLLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2525pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 403W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D3 [S] 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	재고 있음3,544
APT10090BLLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1969pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 298W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,024
APT100F50J Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 103A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 620nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음4,572
APT100M50J Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 103A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 620nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음4,122
APT100MC120JCU2 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 143A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 360nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5960pF @ 1000V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,110
APT106N60B2C6 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 106A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 53A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3.4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 308nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8390pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 833W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2] 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음7,146
APT10M07JVR Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS V® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 225A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1050nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,866
APT10M09B2VFRG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS V® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 625W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2] 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음8,424
APT10M11B2VFRG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS V® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 450nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: T-MAX™ 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음5,400
APT10M11JVR Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS V® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 144A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 450nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 450W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,452
APT10M11JVRU2 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 142A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 71A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 450W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,056
APT10M11JVRU3 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 142A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 71A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 450W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음4,716
APT11F80B Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2471pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 337W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,086
APT11F80S Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2471pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 337W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D3Pak 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	재고 있음6,156
APT11N80BC3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 680µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1585pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,208
APT11N80KC3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 680µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1585pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 [K] 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,280
APT1201R4BFLLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2030pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,834
APT12031JFLL Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 365nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9480pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 690AW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음5,453
APT1204R7BFLLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1.75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 715pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 135W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 [B] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음9,228
APT1204R7KFLLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1.75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 715pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 135W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 [K] 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,700
APT12057B2LLG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 690W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2] 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,716
APT12057JLL Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음4,554

APT1002RBNG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS IV®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 240W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AD
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,066

APT10035B2LLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5185pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 690W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음4,482

APT10035JLL

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5185pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음8,010

APT1003RBLLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 694pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 139W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,100

APT1003RKLLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 694pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 139W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220 [K]
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,994

APT10045B2LLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 154nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 565W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음8,982

APT10045JLL

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 154nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 460W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음3,618

APT10078BLLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2525pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 403W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,032

APT10078SLLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2525pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 403W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D3 [S]
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

재고 있음3,544

APT10090BLLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1969pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 298W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,024

APT100F50J

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 103A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 620nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음4,572

APT100M50J

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 103A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 620nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음4,122

APT100MC120JCU2

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 143A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 360nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5960pF @ 1000V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,110

APT106N60B2C6

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 106A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 53A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3.4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 308nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8390pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 833W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음7,146

APT10M07JVR

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS V®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 225A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1050nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,866

APT10M09B2VFRG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS V®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 350nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 625W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음8,424

APT10M11B2VFRG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS V®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 450nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: T-MAX™
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음5,400

APT10M11JVR

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS V®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 144A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 450nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 450W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,452

APT10M11JVRU2

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 142A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 71A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 450W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,056

APT10M11JVRU3

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 142A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 71A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 450W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음4,716

APT11F80B

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2471pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 337W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,086

APT11F80S

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2471pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 337W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D3Pak
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

재고 있음6,156

APT11N80BC3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 680µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1585pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,208

APT11N80KC3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 680µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1585pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220 [K]
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,280

APT1201R4BFLLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2030pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,834

APT12031JFLL

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 365nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9480pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 690AW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음5,453

APT1204R7BFLLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 715pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 135W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음9,228

APT1204R7KFLLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 715pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 135W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220 [K]
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,700

APT12057B2LLG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 290nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 690W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,716

APT12057JLL

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 290nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음4,554

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