트랜지스터

AUIRF7734M2TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 43A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2545pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ M2
• 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric M2

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AUIRF7736M2TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 108A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 65A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 108nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4267pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ M4
• 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric M4

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AUIRF7737L2TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 156A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 134nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5469pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DIRECTFET L6
• 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric L6

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AUIRF7738L2TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Ta), 130A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 109A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 194nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7471pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DIRECTFET L6
• 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric L6

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AUIRF7739L2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Ta), 270A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11880pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DIRECTFET L8
• 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric L8

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AUIRF7739L2TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Ta), 270A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11880pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DIRECTFET L8
• 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric L8

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AUIRF7749L2TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 36A DIRECTFET

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Ta), 345A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 275nC @ 10V
• Vgs (최대): 60V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10655pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DIRECTFET L8
• 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric L8

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AUIRF7759L2TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 160A DIRECTFET

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 375A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12222pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DIRECTFET L8
• 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric L8

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AUIRF7769L2TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 375A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11560pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DIRECTFET L8
• 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric L8

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AUIRF7799L2TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 375A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 21A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6714pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.3W (Ta), 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DIRECTFET L8
• 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric L8

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AUIRF7805Q

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 30V 13A 8-SO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SO
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AUIRF7805QTR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 30V 13A 8-SO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SO
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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AUIRF8736M2TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 137A AUTO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 137A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 85A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 150µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 204nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6867pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ M4
• 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric M4

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AUIRF8739L2TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 545A AUTO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 57A (Ta), 545A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 195A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 562nC @ 10V
• Vgs (최대): 40V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17890pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 340W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DIRECTFET L8
• 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric L8

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AUIRF9540N

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 97nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 140W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AUIRF9Z34N

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 68W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AUIRFB3207

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AUIRFB3806

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 71W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AUIRFB4410

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5150pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 200W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AUIRFB4610

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3550pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 190W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AUIRFB8405

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 161nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5193pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 163W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AUIRFB8407

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7330pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 230W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AUIRFB8409

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 450nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14240pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 375W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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AUIRFBA1405

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 55V 95A SUPER-220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 101A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5480pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 330W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: SUPER-220™ (TO-273AA)
• 패키지 / 케이스: TO-273AA

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AUIRFL014N

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-223
• 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

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AUIRFL014NTR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-223
• 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

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AUIRFL024N

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-223
• 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

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AUIRFL024NTR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-223
• 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

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AUIRFN7107TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 75A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3001pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.4W (Ta), 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

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AUIRFN7110TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 100V 58A PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 35A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3050pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.3W (Ta), 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

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